NatNano: разработан метод выращивания полупроводников размерами меньше нанометра

Корейские ученые из Пхоханского университета науки и технологий разработали метод выращивания металлических полупроводников, так называемых транзисторов, размеры которых составляют менее одного нанометра.

Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature Nanotechnology (NatNano).

В обычных процессах производства полупроводников возникает сложность в создании структур размером менее нескольких нанометров из-за ограничений литографии.

Для преодоления этой технической проблемы ученые использовали двойную зеркальную границу двумерного дисульфида молибдена — одномерную металлическую структуру толщиной 0,4 нанометра, которая формируется между кристаллами материала.

Эту зеркальную границу удалось создать с помощью процесса эпитаксиального наращивания соединения.

Главный исследователь, Чо Мунхо, отметил: «Полученная одномерная металлическая фаза с использованием эпитаксиального роста представляет собой новый процесс материаловедения, который может быть применен для создания ультратонких транзисторов.

В дальнейшем ожидается, что данная технология станет ключевой для разработки маломощных высокопроизводительных электронных устройств».

Ранее «Медздрав.Инфо» сообщал о том, что врач Мясников поддержал идею обучить почтальонов медицинским навыкам.